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MMBT2369、PMBT2369,215、MMBT2369LT1G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBT2369 PMBT2369,215 MMBT2369LT1G

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBT2369  单晶体管 双极, NPN, 15 V, 350 mW, 200 mA, 40 hFENexperia PMBT2369,215 , NPN 晶体管, 200 mA, Vce=15 V, HFE:20, 500 MHz, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装ON SEMICONDUCTOR  MMBT2369LT1G  单晶体管 双极, NPN, 15 V, 300 mW, 200 mA, 120 hFE

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Nexperia (安世) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) 15.0 V - 15.0 V

额定电流 200 mA - 200 mA

针脚数 3 3 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 350 mW 250 mW 300 mW

击穿电压(集电极-发射极) 15 V 15 V 15 V

集电极最大允许电流 0.2A - 0.2A

最小电流放大倍数(hFE) 40 @10mA, 1V 40 @10mA, 1V 20

最大电流放大倍数(hFE) 120 40 @10mA, 1V -

额定功率(Max) 350 mW 250 mW 225 mW

直流电流增益(hFE) 40 20 120

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

耗散功率(Max) 350 mW 250 mW 300 mW

频率 - 500 MHz -

额定功率 - 0.25 W -

工作温度(Min) - -65 ℃ -55 ℃

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

长度 - 3 mm 2.9 mm

宽度 - 1.4 mm 1.3 mm

高度 - 1 mm 0.94 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99