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MMBT2369
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBT2369  单晶体管 双极, NPN, 15 V, 350 mW, 200 mA, 40 hFE

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 40V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 15V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 200mA/0.2A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 40~120 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 200mV~500mV 耗散功率PcPower Dissipation| 225mW/0.225W Description & Applications| NPN Switching Transistor This device is designed for high speed saturation switching at collector currents of 10 mA to 100 mA. Sourced from Process 21. 描述与应用| NPN开关 该设备是专为高速饱和开关集电极 10 mA至100 mA的电流

MMBT2369中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 15.0 V

额定电流 200 mA

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 350 mW

击穿电压集电极-发射极 15 V

集电极最大允许电流 0.2A

最小电流放大倍数hFE 40 @10mA, 1V

最大电流放大倍数hFE 120

额定功率Max 350 mW

直流电流增益hFE 40

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 350 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

MMBT2369引脚图与封装图
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在线购买MMBT2369
型号 制造商 描述 购买
MMBT2369 Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBT2369  单晶体管 双极, NPN, 15 V, 350 mW, 200 mA, 40 hFE 搜索库存
替代型号MMBT2369
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MMBT2369

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: SOT-23 NPN 15V 200mA 350mW

当前型号

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBT2369  单晶体管 双极, NPN, 15 V, 350 mW, 200 mA, 40 hFE

当前型号

型号: PMBT2369,215

品牌: 安世

封装: TO-236AB

功能相似

Nexperia PMBT2369,215 , NPN 晶体管, 200 mA, Vce=15 V, HFE:20, 500 MHz, 3引脚 SOT-23 TO-236AB封装

MMBT2369和PMBT2369,215的区别

型号: MMBT2369ALT1

品牌: 安森美

封装: SOT-23/SC-59 NPN 15V 200mA

功能相似

开关晶体管NPN硅 Switching Transistors NPN Silicon

MMBT2369和MMBT2369ALT1的区别