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BC857BWT1、BC857BWT1G、BC857BW,135对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC857BWT1 BC857BWT1G BC857BW,135

描述 通用晶体管( PNP硅) General Purpose Transistors(PNP Silicon)ON SEMICONDUCTOR  BC857BWT1G  单晶体管 双极, PNP, -45 V, 100 MHz, 150 mW, -100 mA, 150 hFESC-70 PNP 45V 0.1A

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 SC-70-3 SC-70-3 SOT-323-3

频率 - 100 MHz 100 MHz

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 150 mW 150 mW 0.2 W

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 220 @2mA, 5V 220 @2mA, 5V 220 @2mA, 5V

最大电流放大倍数(hFE) - - 220 @2mA, 5V

额定功率(Max) 150 mW 150 mW 200 mW

耗散功率(Max) - 150 mW 200 mW

额定电压(DC) -45.0 V -45.0 V -

额定电流 -100 mA -100 mA -

针脚数 - 3 -

直流电流增益(hFE) - 150 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -

增益频宽积 100 MHz - -

封装 SC-70-3 SC-70-3 SOT-323-3

长度 2.1 mm 2.2 mm -

宽度 1.24 mm 1.35 mm -

高度 0.85 mm 0.9 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -