JANTXV2N5666S、TIP41CG、BDX33C对比区别

高亮显示差异参数

型号 JANTXV2N5666S TIP41CG BDX33C

描述 NPN硅功率开关晶体管 NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTORNPN 功率晶体管，ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管STMICROELECTRONICS  BDX33C  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 70 W, 10 A, 750 hFE

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-205 TO-220-3 TO-220-3

频率 - 3 MHz -

额定电压(DC) - 100 V -

额定电流 - 6.00 A -

针脚数 - 3 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 - 65 W 70 W

增益频宽积 - 3 MHz -

击穿电压(集电极-发射极) 200 V 100 V 100 V

热阻 - 1.67℃/W (RθJC) -

集电极最大允许电流 5A 6A -

最小电流放大倍数(hFE) 40 @1A, 5V 15 @3A, 4V 750 @3A, 3V

额定功率(Max) 1.2 W 2 W 70 W

直流电流增益(hFE) - 3 750

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 2000 mW 70000 mW

长度 - 10.28 mm 10.4 mm

宽度 - 4.83 mm 4.6 mm

高度 - 15.75 mm 9.15 mm

封装 TO-205 TO-220-3 TO-220-3

材质 - Silicon -

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99