JANTXV2N5666S
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JANTXV2N5666S中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 200 V
集电极最大允许电流 5A
最小电流放大倍数hFE 40 @1A, 5V
额定功率Max 1.2 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-205
外形尺寸
封装 TO-205
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准
含铅标准
JANTXV2N5666S引脚图与封装图
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在线购买JANTXV2N5666S
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JANTXV2N5666S | Microsemi 美高森美 | NPN硅功率开关晶体管 NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR | 搜索库存 |
替代型号JANTXV2N5666S
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JANTXV2N5666S 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-39 NPN | 当前型号 | NPN硅功率开关晶体管 NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR | 当前型号 |
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| 型号： TIP41C 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 NPN 100V 6A 65000mW | 功能相似 | STMICROELECTRONICS TIP41C 单晶体管 双极, NPN, 100 V, 65 W, 6 A, 75 hFE | JANTXV2N5666S和TIP41C的区别 |
| 型号： BDX33C 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 NPN 70000mW | 功能相似 | STMICROELECTRONICS BDX33C 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 70 W, 10 A, 750 hFE | JANTXV2N5666S和BDX33C的区别 |
