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IRGR4607DPBF、IRGR4607DTRLPBF、IRGR4607DTRPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRGR4607DPBF IRGR4607DTRLPBF IRGR4607DTRPBF

描述 IGBT 高达 20A,Infineon优化的 IGBT 设计用于中频应用,可快速响应,为用户提供最大效率。 这些设备利用 FRED 经优化的二极管,从而提供最佳的 IGBT 性能### IGBT 晶体管,International RectifierInternational Rectifier 提供全面的 IGBT(绝缘栅级双极性晶体管)产品组合,范围从 300V 到 1200V,采用各种技术,可最大程度降低切换和传导损耗,从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模,专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块,可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线,从而实现双面冷却,提高热敏性能、可靠性和效率。Trans IGBT Chip N-CH 600V 11A 58000mW 3Pin(2+Tab) DPAK T/RTrans IGBT Chip N-CH 600V 11A 58000mW 3Pin(2+Tab) DPAK T/R

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定功率 58 W - -

针脚数 3 - -

极性 N-Channel - -

耗散功率 58 W 58000 mW 58000 mW

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V

反向恢复时间 48 ns 48 ns 48 ns

额定功率(Max) 58 W 58 W 58 W

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 58 W 58000 mW 58000 mW

长度 6.73 mm - -

宽度 6.22 mm - -

高度 2.39 mm - -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -40℃ ~ 175℃ (TJ) -40℃ ~ 175℃ (TJ) -40℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -