FQA28N50、FQA28N50F、STW28NM50N对比区别

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型号 FQA28N50 FQA28N50F STW28NM50N

描述 500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFETSTMICROELECTRONICS  STW28NM50N  晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 500 V, 0.135 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-3-3 TO-3-3 TO-247-3

针脚数 - - 3

漏源极电阻 160 mΩ 160 mΩ 0.135 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 310 W 310 W 150 W

阈值电压 - - 3 V

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

连续漏极电流(Ids) 28.4 A 28.4 A 21A

上升时间 290 ns 290 ns 19 ns

输入电容(Ciss) 5600pF @25V(Vds) 5600pF @25V(Vds) 1735pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 310 W 150 W

下降时间 175 ns 175 ns 52 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 310W (Tc) 310W (Tc) 150W (Tc)

额定电压(DC) 500 V 500 V -

额定电流 28.4 A 28.4 A -

漏源击穿电压 500 V 500 V -

栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V -

长度 16.2 mm 16.2 mm 15.75 mm

宽度 5 mm 5 mm 5.15 mm

高度 20.1 mm 20.1 mm 20.15 mm

封装 TO-3-3 TO-3-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Obsolete Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 -