FQA28N50F
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQA28N50F中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 500 V
额定电流 28.4 A
漏源极电阻 160 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 310 W
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 28.4 A
上升时间 290 ns
输入电容Ciss 5600pF @25VVds
额定功率Max 310 W
下降时间 175 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 310W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-3-3
外形尺寸
长度 16.2 mm
宽度 5 mm
高度 20.1 mm
封装 TO-3-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQA28N50F引脚图与封装图
暂无图片
替代型号FQA28N50F
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQA28N50F 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-3P-3 N-Channel 500V 28.4A 160mohms | 当前型号 | 500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET | 当前型号 |
| 型号： FQA28N50 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-3P-3 N-Channel 500V 28.4A 160mohms | 完全替代 | 500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET | FQA28N50F和FQA28N50的区别 |
| 型号： STW28NM50N 品牌： 意法半导体 封装： TO-247-3 N-Channel 500V 21A | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STW28NM50N 晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 500 V, 0.135 ohm, 10 V, 3 V | FQA28N50F和STW28NM50N的区别 |