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STW28NM50N

STW28NM50N

数据手册.pdf

STMICROELECTRONICS  STW28NM50N  晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 500 V, 0.135 ohm, 10 V, 3 V

N 通道 MDmesh™,500V,STMicroelectronics


欧时:
STMicroelectronics MDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STW28NM50N, 21 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247封装


得捷:
MOSFET N-CH 500V 21A TO247-3


立创商城:
N沟道 500V 21A


贸泽:
MOSFET N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 500 V, 21 A, 0.135 ohm, TO-247, 通孔


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 150W; TO247


Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 21 A, 500 V, 0.135 ohm, 10 V, 3 V


力源芯城:
500V,0.135Ω,21A,N沟道功率MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 500V 21A TO-247


STW28NM50N中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.135 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 150 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 21A

上升时间 19 ns

输入电容Ciss 1735pF @25VVds

额定功率Max 150 W

下降时间 52 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.75 mm

宽度 5.15 mm

高度 20.15 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

STW28NM50N引脚图与封装图
STW28NM50N封装焊盘图

STW28NM50N封装焊盘图

在线购买STW28NM50N
型号 制造商 描述 购买
STW28NM50N ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  STW28NM50N  晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 500 V, 0.135 ohm, 10 V, 3 V 搜索库存
替代型号STW28NM50N
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: STW28NM50N

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: TO-247-3 N-Channel 500V 21A

当前型号

STMICROELECTRONICS  STW28NM50N  晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 500 V, 0.135 ohm, 10 V, 3 V

当前型号

型号: FDA50N50

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-3PN N-Channel 500V 48A 105mohms 4.98nF

功能相似

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDA50N50  晶体管, MOSFET, N沟道, 48 A, 500 V, 0.089 ohm, 10 V, 5 V

STW28NM50N和FDA50N50的区别

型号: IXFH44N50P

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-247 N-Channel 500V 44A 140mΩ 5.44nF

功能相似

IXYS SEMICONDUCTOR  IXFH44N50P  晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 44 A, 500 V, 140 mohm, 10 V, 5 V

STW28NM50N和IXFH44N50P的区别

型号: FDH44N50

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-247 N-Channel 500V 44A 110mohms 5.34nF

功能相似

UniFET™ N 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorUniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻,还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外,内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正 PFC、平板显示屏 FPD 电视电源、ATX(先进技术扩展)和电子灯镇流器。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

STW28NM50N和FDH44N50的区别