BD159、BD159G、BD159STU对比区别

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型号 BD159 BD159G BD159STU

描述 塑料中功率NPN硅晶体管 Plastic Medium Power NPN Silicon TransistorON SEMICONDUCTOR  BD159G  Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 350 V, 20 W, 500 mA, 30 hFE 新TRANSISTOR NPN 350V 500mA TO-126

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

引脚数 - 3 3

额定电压(DC) 350 V 350 V -

额定电流 500 mA 500 mA -

极性 NPN NPN -

耗散功率 20 W 20 W 20 W

击穿电压(集电极-发射极) 350 V 350 V 350 V

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A -

最小电流放大倍数(hFE) 30 30 @50mA, 10V 30 @50mA, 10V

最大电流放大倍数(hFE) 240 - -

额定功率(Max) 20 W 20 W 20 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 50 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 20000 mW 20000 mW

针脚数 - 3 -

直流电流增益(hFE) - 30 -

长度 7.74 mm - -

宽度 2.66 mm - -

高度 11.04 mm - -

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -

材质 - Silicon Silicon

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Bulk Bulk Tube

最小包装 500 - -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99