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BD159

BD159

数据手册.pdf

塑料中功率NPN硅晶体管 Plastic Medium Power NPN Silicon Transistor

Plastic Medium Power NPN Silicon Transistor

This device is designed for power output stages for television, radio, phonograph and other consumer product applications.

Features

• Suitable for Transformerless, Line−Operated Equipment

• Thermopad™ Construction Provides High Power Dissipation Rating for High Reliability

• Pb−Free Package is Available
.

得捷:
TRANS NPN 350V 0.5A TO126


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 0.5A 350V 20W NPN


BD159中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 350 V

额定电流 500 mA

极性 NPN

耗散功率 20 W

击穿电压集电极-发射极 350 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 30

最大电流放大倍数hFE 240

额定功率Max 20 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-126-3

外形尺寸

长度 7.74 mm

宽度 2.66 mm

高度 11.04 mm

封装 TO-126-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

最小包装 500

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

BD159引脚图与封装图
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在线购买BD159
型号 制造商 描述 购买
BD159 ON Semiconductor 安森美 塑料中功率NPN硅晶体管 Plastic Medium Power NPN Silicon Transistor 搜索库存
替代型号BD159
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： BD159

品牌： ON Semiconductor 安森美

封装： TO-225 NPN 350V 500mA

当前型号

塑料中功率NPN硅晶体管 Plastic Medium Power NPN Silicon Transistor

当前型号

型号： BD159G

品牌： 安森美

封装： TO-225 NPN 350V 500mA 20000mW

类似代替

ON SEMICONDUCTOR  BD159G  Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 350 V, 20 W, 500 mA, 30 hFE 新

BD159和BD159G的区别

型号： BD159STU

品牌： 安森美

封装： TO-225AA 20000mW

类似代替

TRANSISTOR NPN 350V 500mA TO-126

BD159和BD159STU的区别