BC639ZL1、BC639,116、BC63916_D74Z对比区别

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型号 BC639ZL1 BC639,116 BC63916_D74Z

描述 TO-92 NPN 80V 1ASPT NPN 80V 1ATrans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 3Pin TO-92 Ammo

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

引脚数 - 3 3

额定电压(DC) 80.0 V - -

额定电流 1.00 A - -

极性 NPN NPN -

耗散功率 625 mW 830 mW 1 W

增益频宽积 200 MHz 180 MHz -

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

集电极最大允许电流 1A 1A -

最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 2V 63 @150mA, 2V 100 @150mA, 2V

额定功率(Max) 625 mW 830 mW 1 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ 65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 830 mW 1000 mW

频率 - - 100 MHz

长度 5.2 mm 4.8 mm -

宽度 4.19 mm 4.2 mm -

高度 5.33 mm 5.2 mm -

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Unknown Obsolete Active

包装方式 Tape Tape & Reel (TR) Box

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free 无铅