BC639ZL1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 80.0 V
额定电流 1.00 A
极性 NPN
耗散功率 625 mW
增益频宽积 200 MHz
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 40 @150mA, 2V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-226-3
外形尺寸
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
BC639ZL1引脚图与封装图
暂无图片
替代型号BC639ZL1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BC639ZL1 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92 NPN 80V 1A | 当前型号 | TO-92 NPN 80V 1A | 当前型号 |
| 型号： BC63916_D74Z 品牌： 安森美 封装： TO92 1000mW | 类似代替 | Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 3Pin TO-92 Ammo | BC639ZL1和BC63916_D74Z的区别 |
| 型号： BC639,116 品牌： 恩智浦 封装： SOT-54 NPN | 功能相似 | SPT NPN 80V 1A | BC639ZL1和BC639,116的区别 |
| 型号： BC63916_D27Z 品牌： 安森美 封装： TO-92 1000mW | 功能相似 | Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 3Pin TO-92 T/R | BC639ZL1和BC63916_D27Z的区别 |