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IRF5210SPBF、IRF5210STRLPBF、NTB25P06T4G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF5210SPBF IRF5210STRLPBF NTB25P06T4G

描述 场效应管, MOSFET, P沟道, -100V, 40A D2-PAKP沟道,-100V,-38A,60mΩ@10VP 通道功率 MOSFET,30V 至 500V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) International Rectifier (国际整流器) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定电压(DC) - - -60.0 V

额定电流 - - -25.0 A

通道数 - - 1

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.06 Ω 0.06 Ω 0.07 Ω

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 3.1 W 3.1 W 120 W

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 60 V

栅源击穿电压 - - ±15.0 V

连续漏极电流(Ids) -40.0 A -40.0 A 27.5 A

上升时间 - - 72 ns

输入电容(Ciss) 2780pF @25V(Vds) 2780pF @25V(Vds) 1680pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 3.1 W 3.1 W 120 W

下降时间 - - 190 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 120 W

产品系列 IRF5210S IRF5210S -

阈值电压 4 V 4 V -

漏源击穿电压 -100 V - -

长度 10.67 mm - 10.29 mm

宽度 - - 9.65 mm

高度 4.83 mm - 4.83 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Rail, Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

ECCN代码 EAR99 - EAR99