IRFR1205PBF、STD25NF10LT4、STD30NF06LT4对比区别

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型号 IRFR1205PBF STD25NF10LT4 STD30NF06LT4

描述 55V,0.027Ω,44A,N沟道功率MOSFETN 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS  STD30NF06LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 60 V, 0.022 ohm, 2.5 V, 1.7 V

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) 55.0 V 100 V 60.0 V

额定电流 37.0 A 25.0 A 35.0 A

针脚数 - - 3

漏源极电阻 20 mΩ 0.03 Ω 0.022 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 107 W 100 W 70 W

阈值电压 4 V 2.5 V 1.7 V

输入电容 - - 1600 pF

漏源极电压(Vds) 55 V 100 V 60 V

漏源击穿电压 55.0 V 100 V 60.0 V

栅源击穿电压 - ±16.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 44.0 A 25.0 A 35.0 A

上升时间 69.0 ns 40 ns 105 ns

输入电容(Ciss) 1300pF @25V(Vds) 1710pF @25V(Vds) 1600pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 107 W 100 W 70 W

下降时间 - 20 ns 25 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 100W (Tc) 70W (Tc)

产品系列 IRFR1205 - -

长度 - 6.6 mm 6.6 mm

宽度 - 6.2 mm 6.2 mm

高度 - 2.4 mm 2.4 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99