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STD25NF10LT4

STD25NF10LT4

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N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronics

STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。

### MOSFET ，STMicroelectronics


欧时:
STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STD25NF10LT4, 25 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK TO-252封装


得捷:
MOSFET N-CH 100V 25A DPAK


立创商城:
N沟道 100V 25A


贸泽:
MOSFET N-Ch 100 Volt 25 Amp


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 25A; 100W; DPAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STD25NF10LT4  MOSFET Transistor, N Channel, 25 A, 100 V, 30 mohm, 10 V, 2.5 V


儒卓力:
**N-CH 100V 25A 35mOhm TO252-3 **


力源芯城:
25A,100V,N沟道功率MOSFET


DeviceMart:
MOSFET N-CH 100V 25A DPAK


Win Source:
MOSFET N-CH 100V 25A DPAK


STD25NF10LT4中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 25.0 A

漏源极电阻 0.03 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 100 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

栅源击穿电压 ±16.0 V

连续漏极电流Ids 25.0 A

上升时间 40 ns

输入电容Ciss 1710pF @25VVds

额定功率Max 100 W

下降时间 20 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 100W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 6.2 mm

高度 2.4 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

STD25NF10LT4引脚图与封装图
STD25NF10LT4引脚图

STD25NF10LT4引脚图

STD25NF10LT4封装图

STD25NF10LT4封装图

STD25NF10LT4封装焊盘图

STD25NF10LT4封装焊盘图

在线购买STD25NF10LT4
型号 制造商 描述 购买
STD25NF10LT4 ST Microelectronics 意法半导体 N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronics STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics 搜索库存
替代型号STD25NF10LT4
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： STD25NF10LT4

品牌： ST Microelectronics 意法半导体

封装： TO-252 N-Channel 100V 25A 30mΩ

当前型号

N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

当前型号

型号： STD25NF10L

品牌： 意法半导体

封装： TO-252 N-Channel 25A

完全替代

N沟道100V - 0.030欧姆 - 25A DPAK低栅电荷STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 100V - 0.030 ohm - 25A DPAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ II POWER MOSFET

STD25NF10LT4和STD25NF10L的区别

型号： FDD3682

品牌： 飞兆/仙童

封装： TO-252 N-Channel 100V 32A 32mohms 1.25nF

功能相似

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDD3682  晶体管, MOSFET, N沟道, 32 A, 100 V, 0.032 ohm, 10 V, 4 V

STD25NF10LT4和FDD3682的区别

型号： FDD3672

品牌： 飞兆/仙童

封装： TO-252 N-Channel 100V 44A 28mohms 1.71nF

功能相似

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDD3672  晶体管, MOSFET, N沟道, 44 A, 100 V, 0.024 ohm, 10 V, 4 V

STD25NF10LT4和FDD3672的区别