锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

IRFR1205PBF

IRFR1205PBF

数据手册.pdf
International Rectifier 国际整流器 分立器件

55V,0.027Ω,44A,N沟道功率MOSFET

Description

Fifth Generation HEXFETs from utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient device for use in a wide variety of applications.

• Ultra Low On-Resistance

• Surface Mount IRFR1205

• Straight Lead IRFU1205

• Fast Switching

• Fully Avalanche Rated

• Lead-Free

IRFR1205PBF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 55.0 V

额定电流 37.0 A

漏源极电阻 20 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 107 W

产品系列 IRFR1205

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 55 V

漏源击穿电压 55.0 V

连续漏极电流Ids 44.0 A

上升时间 69.0 ns

输入电容Ciss 1300pF @25VVds

额定功率Max 107 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17

IRFR1205PBF引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IRFR1205PBF
型号 制造商 描述 购买
IRFR1205PBF International Rectifier 国际整流器 55V,0.027Ω,44A,N沟道功率MOSFET 搜索库存
替代型号IRFR1205PBF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRFR1205PBF

品牌: International Rectifier 国际整流器

封装: TO-252 N-Channel 55V 44A

当前型号

55V,0.027Ω,44A,N沟道功率MOSFET

当前型号

型号: STD30NF06LT4

品牌: 意法半导体

封装: TO-252 N-Channel 60V 35A 22mohms

功能相似

STMICROELECTRONICS  STD30NF06LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 60 V, 0.022 ohm, 2.5 V, 1.7 V

IRFR1205PBF和STD30NF06LT4的区别

型号: STD25NF10LT4

品牌: 意法半导体

封装: TO-252 N-Channel 100V 25A 30mΩ

功能相似

N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

IRFR1205PBF和STD25NF10LT4的区别

型号: STD25NF10T4

品牌: 意法半导体

封装: TO-252 N-Channel 100V 12.5A 33mohms

功能相似

STMICROELECTRONICS  STD25NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 12.5 A, 100 V, 33 mohm, 10 V, 3 V

IRFR1205PBF和STD25NF10T4的区别