IPU50R950CE、IPU50R950CEAKMA1对比区别

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型号 IPU50R950CE IPU50R950CEAKMA1

描述 500V,950mΩ,6.6A,N沟道功率MOSFETTrans MOSFET N-CH 550V 4.3A 3Pin IPAK Tube

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-251-3 TO-251-3

极性 N-CH -

耗散功率 34W (Tc) 34 W

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V

连续漏极电流(Ids) 4.3A -

上升时间 4.9 ns 4.9 ns

输入电容(Ciss) 231pF @100V(Vds) 231pF @100V(Vds)

额定功率(Max) 34 W -

下降时间 19.5 ns 19.5 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 34W (Tc) 53W (Tc)

漏源击穿电压 - 500 V

长度 6.73 mm 6.73 mm

宽度 6.22 mm 2.38 mm

高度 2.41 mm 6.22 mm

封装 TO-251-3 TO-251-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅