IPU50R950CE
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Infineon
英飞凌
分立器件
IPU50R950CE中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 34W Tc
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 4.3A
上升时间 4.9 ns
输入电容Ciss 231pF @100VVds
额定功率Max 34 W
下降时间 19.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 34W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.41 mm
封装 TO-251-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IPU50R950CE引脚图与封装图
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在线购买IPU50R950CE
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPU50R950CE | Infineon 英飞凌 | 500V,950mΩ,6.6A,N沟道功率MOSFET | 搜索库存 |
替代型号IPU50R950CE
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IPU50R950CE 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-251 N-CH 500V 4.3A | 当前型号 | 500V,950mΩ,6.6A,N沟道功率MOSFET | 当前型号 |
| 型号： IPU50R950CEAKMA1 品牌： 英飞凌 封装： TO-251-3 500V | 类似代替 | Trans MOSFET N-CH 550V 4.3A 3Pin IPAK Tube | IPU50R950CE和IPU50R950CEAKMA1的区别 |