IPU50R950CEAKMA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IPU50R950CEAKMA1中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 34 W
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
上升时间 4.9 ns
输入电容Ciss 231pF @100VVds
下降时间 19.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 53W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 2.38 mm
高度 6.22 mm
封装 TO-251-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准
含铅标准 无铅
IPU50R950CEAKMA1引脚图与封装图
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在线购买IPU50R950CEAKMA1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPU50R950CEAKMA1 | Infineon 英飞凌 | Trans MOSFET N-CH 550V 4.3A 3Pin IPAK Tube | 搜索库存 |
替代型号IPU50R950CEAKMA1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IPU50R950CEAKMA1 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-251-3 500V | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 550V 4.3A 3Pin IPAK Tube | 当前型号 |
| 型号： IPU50R950CE 品牌： 英飞凌 封装： TO-251 N-CH 500V 4.3A | 类似代替 | 500V,950mΩ,6.6A,N沟道功率MOSFET | IPU50R950CEAKMA1和IPU50R950CE的区别 |