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VNB14N0413TR、VNB14N04TR-E、VNB14N04-E对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 VNB14N0413TR VNB14N04TR-E VNB14N04-E

描述 MOSFET OMNI N-CH 42V 14A D2PAKMOSFET OMNI N-CH 42V 14A D2PAK“ OMNIFET ”完全autoprotected功率MOSFET "OMNIFET" fully autoprotected Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定功率 - - 50 W

输出接口数 1 1 1

输出电流 - - 14 A

通道数 - - 1

漏源极电阻 - - 70.0 mΩ

极性 - - N-Channel

耗散功率 50000 mW - 50.0 W

漏源击穿电压 - - 42.0 V

连续漏极电流(Ids) - - 14.0 A

输出电流(Max) 10 A 10 A 10 A

供电电流 0.25 mA - -

输出电流(Min) 10 A - -

耗散功率(Max) 50000 mW - -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

高度 4.6 mm - -

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 EAR99