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TIP3055、TIP3055G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TIP3055 TIP3055G

描述 功率晶体管互补硅 POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICONON SEMICONDUCTOR  TIP3055G  单晶体管 双极, NPN, 60 V, 2.5 MHz, 90 W, 15 A, 5 hFE 新

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-218-3 TO-247-3

引脚数 - 3

额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V

额定电流 15.0 A 15.0 A

极性 NPN NPN

耗散功率 90 W 90 W

增益频宽积 2.5 MHz -

集电极击穿电压 70.0 V 70.0 V

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V

集电极最大允许电流 15A 15A

最小电流放大倍数(hFE) 20 20 @4A, 4V

最大电流放大倍数(hFE) 70 -

额定功率(Max) 90 W 90 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 65 ℃ -65 ℃

频率 - 2.5 MHz

针脚数 - 3

热阻 - 1.39℃/W (RθJC)

直流电流增益(hFE) - 5

耗散功率(Max) - 90000 mW

长度 15.2 mm -

宽度 4.9 mm 4.9 mm

封装 TO-218-3 TO-247-3

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃

材质 - Silicon

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tube Tube

最小包装 30 -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99