TIP3055中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 60.0 V
额定电流 15.0 A
极性 NPN
耗散功率 90 W
增益频宽积 2.5 MHz
集电极击穿电压 70.0 V
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 15A
最小电流放大倍数hFE 20
最大电流放大倍数hFE 70
额定功率Max 90 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-218-3
外形尺寸
长度 15.2 mm
宽度 4.9 mm
封装 TO-218-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
最小包装 30
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
TIP3055引脚图与封装图
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在线购买TIP3055
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TIP3055 | ON Semiconductor 安森美 | 功率晶体管互补硅 POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON | 搜索库存 |
替代型号TIP3055
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： TIP3055 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-218 NPN 60V 15A 90W | 当前型号 | 功率晶体管互补硅 POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON | 当前型号 |
| 型号： TIP3055G 品牌： 安森美 封装： TO-218 NPN 60V 15A 90000mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR TIP3055G 单晶体管 双极, NPN, 60 V, 2.5 MHz, 90 W, 15 A, 5 hFE 新 | TIP3055和TIP3055G的区别 |