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IPD70N03S4L04ATMA1、STD40NF03LT4对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPD70N03S4L04ATMA1 STD40NF03LT4

描述 INFINEON  IPD70N03S4L04ATMA1  晶体管, MOSFET, AEC-Q101, N沟道, 70 A, 30 V, 0.0036 ohm, 10 V, 1.5 VSTMICROELECTRONICS  STD40NF03LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 30 V, 9 mohm, 10 V, 1 V

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) - 30.0 V

额定电流 - 40.0 A

通道数 1 1

针脚数 3 3

漏源极电阻 0.0036 Ω 0.009 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 68 W 80 W

阈值电压 1.5 V 1 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

漏源击穿电压 30 V 30.0 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 30A 20.0 A

上升时间 5 ns 165 ns

输入电容(Ciss) 750pF @25V(Vds) 1440pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 80 W

下降时间 5 ns 25 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 31000 mW 80W (Tc)

宽度 6.22 mm 6.2 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3

长度 6.5 mm -

高度 2.3 mm -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17