通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.0036 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 68 W
阈值电压 1.5 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 30A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 750pF @25VVds
下降时间 5 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 31000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 OptiMOS-T 40V addresses to small loads control switching 3-phase and H-bridge motors, electric pumps, etc. especially in combination with PWM control., Body applications
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IPD70N03S4L04ATMA1 | Infineon 英飞凌 | INFINEON IPD70N03S4L04ATMA1 晶体管, MOSFET, AEC-Q101, N沟道, 70 A, 30 V, 0.0036 ohm, 10 V, 1.5 V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IPD70N03S4L04ATMA1 品牌: Infineon 英飞凌 封装: REEL N-Channel 30V 30A | 当前型号 | INFINEON IPD70N03S4L04ATMA1 晶体管, MOSFET, AEC-Q101, N沟道, 70 A, 30 V, 0.0036 ohm, 10 V, 1.5 V | 当前型号 | |
型号: STD40NF03LT4 品牌: 意法半导体 封装: TO-252 N-Channel 30V 20A 9mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STD40NF03LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 30 V, 9 mohm, 10 V, 1 V | IPD70N03S4L04ATMA1和STD40NF03LT4的区别 |