锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

MMBT3906LT1G、UMT3906T106、NSCT3906LT3G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBT3906LT1G UMT3906T106 NSCT3906LT3G

描述 ON SEMICONDUCTOR  MMBT3906LT1G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -40 V, 250 MHz, 225 mW, -200 mA, 300 hFEUMT3906 系列 40 V 0.2 A 表面贴装 PNP 通用 晶体管 - SC-70SOT-23 PNP 40V 0.2A

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 SOT-23-3 SOT-323-3 SOT-23-3

频率 250 MHz 250 MHz -

额定电压(DC) -40.0 V -40.0 V -40.0 V

额定电流 -200 mA -200 mA -

额定功率 300 mW 0.2 W -

针脚数 3 3 -

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 225 mW 6.2 W -

增益频宽积 - 250 MHz -

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V 40 V

集电极最大允许电流 0.2A 0.2A 0.2A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @10mA, 1V 100 @10mA, 1V 100 @10mA, 1V

最大电流放大倍数(hFE) - 300 -

额定功率(Max) 300 mW 200 mW 225 mW

直流电流增益(hFE) 300 100 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -

耗散功率(Max) 300 mW 6200 mW -

长度 2.9 mm 2 mm -

宽度 1.3 mm 1.25 mm -

高度 0.94 mm 0.8 mm -

封装 SOT-23-3 SOT-323-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

香港进出口证 NLR - -