DTC114EET1G、DTC114EETL、PDTC114EE,115对比区别
型号 DTC114EET1G DTC114EETL PDTC114EE,115
描述 ON SEMICONDUCTOR DTC114EET1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SOT-416ROHM DTC114EETL 单晶体管 双极, NPN, 50 V, 250 MHz, 150 mW, 100 mA, 30 hFENPN 晶体管,NXP### 数字晶体管,NXP配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) NXP (恩智浦)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SC-75-3 SOT-416-3 SOT-416
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 0.3 W 150 mW 0.15 W
击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V
集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA
最小电流放大倍数(hFE) 35 @5mA, 10V 30 @5mA, 5V 30 @5mA, 5V
额定功率(Max) 200 mW 150 mW 150 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 338 mW 150 mW 150 mW
额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V -
额定电流 70.0 mA 50.0 mA -
直流电流增益(hFE) - 30 -
增益带宽 - 250 MHz -
额定功率 200 mW - -
无卤素状态 Halogen Free - -
输出电压 ≥300 mV - -
最大电流放大倍数(hFE) 35 - -
长度 1.65 mm 1.6 mm 1.8 mm
宽度 0.9 mm 0.8 mm 0.9 mm
高度 0.8 mm 0.7 mm 0.85 mm
封装 SC-75-3 SOT-416-3 SOT-416
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2015/12/17
香港进出口证 - - NLR
ECCN代码 EAR99 EAR99 -