APT50GF120B2RG、IXDN75N120、APT60GT60BRG对比区别

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型号 APT50GF120B2RG IXDN75N120 APT60GT60BRG

描述 功率半导体功率模块 Power Semiconductors Power ModulesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 660000mW 4Pin SOT-227B功率半导体功率模块 Power Semiconductors Power Modules

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor Microsemi (美高森美)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

安装方式 Through Hole Chassis Through Hole

引脚数 3 4 3

封装 TO-247-3 SOT-227-4 TO-247-3

耗散功率 - 660000 mW 500000 mW

击穿电压(集电极-发射极) 1200 V 1200 V 600 V

输入电容(Cies) - 5.5nF @25V -

额定功率(Max) 781 W 660 W 500 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -40 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 781000 mW 660000 mW 500000 mW

额定电压(DC) 1.20 kV - 600 V

额定电流 156 A - 100 A

封装 TO-247-3 SOT-227-4 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 EAR99