APT60GT60BRG
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APT60GT60BRG中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 100 A
耗散功率 500000 mW
击穿电压集电极-发射极 600 V
额定功率Max 500 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
APT60GT60BRG引脚图与封装图
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在线购买APT60GT60BRG
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APT60GT60BRG | Microsemi 美高森美 | 功率半导体功率模块 Power Semiconductors Power Modules | 搜索库存 |
替代型号APT60GT60BRG
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： APT60GT60BRG 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-247 600V 100A 500000mW | 当前型号 | 功率半导体功率模块 Power Semiconductors Power Modules | 当前型号 |
| 型号： APT50GF120B2RG 品牌： 美高森美 封装： TO-264 1.2kV 156A | 类似代替 | 功率半导体功率模块 Power Semiconductors Power Modules | APT60GT60BRG和APT50GF120B2RG的区别 |
| 型号： HGT1N30N60A4D 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOT-227 600V 96A 255000mW | 功能相似 | 600V ，开关电源系列N沟道IGBT与反并联二极管超高速 600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode | APT60GT60BRG和HGT1N30N60A4D的区别 |
| 型号： IXGX120N60B 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247 600V 200A | 功能相似 | IGBT 600V 200A 660W TO247 | APT60GT60BRG和IXGX120N60B的区别 |