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APT50GF120B2RG

APT50GF120B2RG

数据手册.pdf
APT50GF120B2RG中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 1.20 kV

额定电流 156 A

击穿电压集电极-发射极 1200 V

额定功率Max 781 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 781000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

APT50GF120B2RG引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
APT50GF120B2RG Microsemi 美高森美 功率半导体功率模块 Power Semiconductors Power Modules 搜索库存
替代型号APT50GF120B2RG
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: APT50GF120B2RG

品牌: Microsemi 美高森美

封装: TO-264 1.2kV 156A

当前型号

功率半导体功率模块 Power Semiconductors Power Modules

当前型号

型号: APT60GT60BRG

品牌: 美高森美

封装: TO-247 600V 100A 500000mW

类似代替

功率半导体功率模块 Power Semiconductors Power Modules

APT50GF120B2RG和APT60GT60BRG的区别

型号: IXDN75N120

品牌: IXYS Semiconductor

封装: SOT-227-4 660000mW

功能相似

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 660000mW 4Pin SOT-227B

APT50GF120B2RG和IXDN75N120的区别

型号: IXER60N120

品牌: IXYS Semiconductor

封装: ISOPLUS247 375W

功能相似

Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 95A 3Pin3+Tab ISOPLUS 247

APT50GF120B2RG和IXER60N120的区别