FDP6030BL、STP40NF03L、STP27N3LH5对比区别

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型号 FDP6030BL STP40NF03L STP27N3LH5

描述 PowerTrench® N 通道 MOSFET，20A 至 59.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。STMICROELECTRONICS  STP40NF03L  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 22 mohm, 10 V, 1.7 VTrans MOSFET N-CH 30V 27A 3Pin(3+Tab) TO-220 Tube

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

通道数 - - 1

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 60 W 70 W 45 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

上升时间 11 ns 80 ns 22 ns

输入电容(Ciss) 1160pF @15V(Vds) 770pF @25V(Vds) 475pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 60 W 70 W 45 W

下降时间 8 ns 16 ns 2.8 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 60W (Tc) 70W (Tc) 45W (Tc)

额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V -

额定电流 40.0 A 40.0 A -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 15.0 mΩ 0.022 Ω -

阈值电压 - 1.7 V -

漏源击穿电压 30.0 V 30.0 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±16.0 V -

连续漏极电流(Ids) 40.0 A 40.0 A -

输入电容 1.16 nF - -

栅电荷 12.0 nC - -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 10.67 mm 10.4 mm -

宽度 4.83 mm 4.6 mm -

高度 9.4 mm 9.15 mm -

工作温度 -65℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

香港进出口证 - NLR -

ECCN代码 EAR99 - -