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FDP6030BL
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

PowerTrench® N 通道 MOSFET,20A 至 59.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

N-Channel 30V 40A Tc 60W Tc Through Hole TO-220-3


得捷:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4


欧时:
### PowerTrench® N 通道 MOSFET,20A 至 59.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


富昌:
FDP6030BL 系列 30 V 18 mOhm N 沟道 逻辑电平PowerTrench MOSFET -TO-220-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 40A TO-220


FDP6030BL中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 40.0 A

漏源极电阻 15.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 60 W

输入电容 1.16 nF

栅电荷 12.0 nC

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 40.0 A

上升时间 11 ns

输入电容Ciss 1160pF @15VVds

额定功率Max 60 W

下降时间 8 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 60W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 4.83 mm

高度 9.4 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

FDP6030BL引脚图与封装图
暂无图片
在线购买FDP6030BL
型号 制造商 描述 购买
FDP6030BL Fairchild 飞兆/仙童 PowerTrench® N 通道 MOSFET,20A 至 59.9A,Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 搜索库存
替代型号FDP6030BL
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FDP6030BL

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: TO-220 N-Channel 30V 40A 15mohms 1.16nF

当前型号

PowerTrench® N 通道 MOSFET,20A 至 59.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

当前型号

型号: STP40NF03L

品牌: 意法半导体

封装: TO-220 N-Channel 30V 40A 18mΩ

功能相似

STMICROELECTRONICS  STP40NF03L  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 22 mohm, 10 V, 1.7 V

FDP6030BL和STP40NF03L的区别

型号: STP27N3LH5

品牌: 意法半导体

封装: TO-220-3 N-Channel

功能相似

Trans MOSFET N-CH 30V 27A 3Pin3+Tab TO-220 Tube

FDP6030BL和STP27N3LH5的区别

型号: ISL9N322AP3

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-220 N-Channel 30V 20A 22mΩ

功能相似

N沟道逻辑电平PWM优化UltraFET沟道功率MOSFET N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs

FDP6030BL和ISL9N322AP3的区别