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BC817-40LT1G、MMBT4126、BC817-40LT3G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC817-40LT1G MMBT4126 BC817-40LT3G

描述 ON SEMICONDUCTOR  BC817-40LT1G.  双极晶体管General Purpose Applications, 25V, 200mA, 350mW, B= 120~360, > 250MHzON SEMICONDUCTOR  BC817-40LT3G  Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 45 V, 100 MHz, 225 mW, 500 mA, 40 hFE 新

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) National Semiconductor (美国国家半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3

频率 100 MHz - 100 MHz

无卤素状态 Halogen Free - Halogen Free

针脚数 3 - 3

极性 NPN - NPN

耗散功率 225 mW - 225 mW

击穿电压(集电极-发射极) 45 V - 45 V

集电极最大允许电流 0.5A - 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) 250 @100mA, 1V - 250 @100mA, 1V

额定功率(Max) 300 mW - 300 mW

直流电流增益(hFE) 250 - 40

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 300 mW - 300 mW

额定功率 300 mW - -

增益频宽积 100 MHz - -

宽度 1.3 mm - 1.3 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3

长度 2.9 mm - -

高度 0.94 mm - -

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) - -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2016/06/20

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 EAR99 - EAR99