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DS1258W-100IND、DS1258Y-100、DS1258AB-70对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1258W-100IND DS1258Y-100 DS1258AB-70

描述 IC NVSRAM 2Mbit 100NS 40EDIPIC NVSRAM 2Mbit 100NS 40EDIPIC NVSRAM 2Mbit 70NS 40EDIP

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 RAM芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

封装 DMA DIP-40 DIP-40

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 - 40 40

封装 DMA DIP-40 DIP-40

长度 - - 53.72 mm

宽度 - - 18.29 mm

高度 - - 8.13 mm

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 - Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead

电源电压(DC) - 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.25 V (max)

时钟频率 - 100 GHz 70.0 GHz

存取时间 - 100 ns 70 ns

内存容量 - 2000000 B 2000000 B

电源电压 - 4.5V ~ 5.5V 4.75V ~ 5.25V

工作温度(Max) - - 70 ℃

工作温度(Min) - - 0 ℃

工作温度 - 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)