电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max
时钟频率 100 GHz
存取时间 100 ns
内存容量 2000000 B
电源电压 4.5V ~ 5.5V
安装方式 Through Hole
引脚数 40
封装 DIP-40
封装 DIP-40
工作温度 0℃ ~ 70℃ TA
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
DS1258Y-100引脚图
DS1258Y-100封装图
DS1258Y-100封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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DS1258Y-100 | Maxim Integrated 美信 | IC NVSRAM 2Mbit 100NS 40EDIP | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: DS1258Y-100 品牌: Maxim Integrated 美信 封装: DIP 2000000B 5V 100ns 40Pin | 当前型号 | IC NVSRAM 2Mbit 100NS 40EDIP | 当前型号 | |
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型号: DS1258AB-100# 品牌: 美信 封装: DIP | 功能相似 | IC NVSRAM 2Mbit 100NS 40EDIP | DS1258Y-100和DS1258AB-100#的区别 | |
型号: DS1258W-100IND 品牌: 美信 封装: DMA | 功能相似 | IC NVSRAM 2Mbit 100NS 40EDIP | DS1258Y-100和DS1258W-100IND的区别 |