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DS1258Y-100

DS1258Y-100

数据手册.pdf
Maxim Integrated(美信) 电子元器件分类

IC NVSRAM 2Mbit 100NS 40EDIP

NVSRAM Non-Volatile SRAM Memory IC 2Mb 128K x 16 Parallel 100ns 40-EDIP


得捷:
IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 40EDIP


DS1258Y-100中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max

时钟频率 100 GHz

存取时间 100 ns

内存容量 2000000 B

电源电压 4.5V ~ 5.5V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 40

封装 DIP-40

外形尺寸

封装 DIP-40

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

DS1258Y-100引脚图与封装图
DS1258Y-100引脚图

DS1258Y-100引脚图

DS1258Y-100封装图

DS1258Y-100封装图

DS1258Y-100封装焊盘图

DS1258Y-100封装焊盘图

在线购买DS1258Y-100
型号 制造商 描述 购买
DS1258Y-100 Maxim Integrated 美信 IC NVSRAM 2Mbit 100NS 40EDIP 搜索库存
替代型号DS1258Y-100
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: DS1258Y-100

品牌: Maxim Integrated 美信

封装: DIP 2000000B 5V 100ns 40Pin

当前型号

IC NVSRAM 2Mbit 100NS 40EDIP

当前型号

型号: DS1258Y-70IND#

品牌: 美信

封装: DIP

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型号: DS1258AB-100#

品牌: 美信

封装: DIP

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型号: DS1258W-100IND

品牌: 美信

封装: DMA

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