电源电压DC 5.00 V, 5.25 V max
时钟频率 70.0 GHz
存取时间 70 ns
内存容量 2000000 B
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 4.75V ~ 5.25V
安装方式 Through Hole
引脚数 40
封装 DIP-40
长度 53.72 mm
宽度 18.29 mm
高度 8.13 mm
封装 DIP-40
工作温度 0℃ ~ 70℃ TA
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
RoHS标准
含铅标准
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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DS1258AB-70 | Maxim Integrated 美信 | IC NVSRAM 2Mbit 70NS 40EDIP | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: DS1258AB-70 品牌: Maxim Integrated 美信 封装: DIP 2000000B 5V 70ns 40Pin | 当前型号 | IC NVSRAM 2Mbit 70NS 40EDIP | 当前型号 | |
型号: DS1258Y-70IND# 品牌: 美信 封装: DIP | 功能相似 | IC NVSRAM 2Mbit 70NS 40EDIP | DS1258AB-70和DS1258Y-70IND#的区别 | |
型号: DS1258AB-100# 品牌: 美信 封装: DIP | 功能相似 | IC NVSRAM 2Mbit 100NS 40EDIP | DS1258AB-70和DS1258AB-100#的区别 | |
型号: DS1258W-100IND 品牌: 美信 封装: DMA | 功能相似 | IC NVSRAM 2Mbit 100NS 40EDIP | DS1258AB-70和DS1258W-100IND的区别 |