IRF7204TRPBF、MMSF3P02HDR2、IRF7204PBF对比区别

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型号 IRF7204TRPBF MMSF3P02HDR2 IRF7204PBF

描述 INFINEON  IRF7204TRPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, -5.3 A, -20 V, 0.06 ohm, -10 V, -2.5 V功率MOSFET 3安培， 20伏P沟道SO- 8 Power MOSFET 3 Amps, 20 Volts P−Channel SO−8P 通道功率 MOSFET 最大 7A，InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) - -20.0 V -

额定电流 - -3.00 A -

通道数 - 1 1

漏源极电阻 0.06 Ω 75 mΩ 0.06 Ω

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5 W

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

漏源击穿电压 - 20 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 5.3A 5.60 A 5.3A

上升时间 26 ns 135 ns 26 ns

输入电容(Ciss) 860pF @10V(Vds) 1400pF @16V(Vds) 860pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W 2.5 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Tc) 2.5W (Ta) 2.5W (Tc)

额定功率 2.5 W - 2.5 W

针脚数 8 - 8

输入电容 860 pF - -

下降时间 68 ns - 68 ns

阈值电压 - - 2.5 V

热阻 - - 50℃/W (RθJC)

长度 5 mm 5 mm 5 mm

宽度 4 mm 4 mm 4 mm

高度 1.5 mm 1.5 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -