MMSF3P02HDR2中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -20.0 V
额定电流 -3.00 A
通道数 1
漏源极电阻 75 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 2.5 W
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 5.60 A
上升时间 135 ns
输入电容Ciss 1400pF @16VVds
额定功率Max 2.5 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
MMSF3P02HDR2引脚图与封装图
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在线购买MMSF3P02HDR2
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMSF3P02HDR2 | ON Semiconductor 安森美 | 功率MOSFET 3安培， 20伏P沟道SO- 8 Power MOSFET 3 Amps, 20 Volts P−Channel SO−8 | 搜索库存 |
替代型号MMSF3P02HDR2
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMSF3P02HDR2 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOIC P-Channel 20V 5.6A 75mΩ | 当前型号 | 功率MOSFET 3安培， 20伏P沟道SO- 8 Power MOSFET 3 Amps, 20 Volts P−Channel SO−8 | 当前型号 |
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