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JAN2N6989、JANTXV2N6989、2N6989对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN2N6989 JANTXV2N6989 2N6989

描述 Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 14Pin TO-116TO-116 NPN 50V 0.8A多个( QUAD ) NPN硅双列直插式和FLATPACK开关晶体管 MULTIPLE (QUAD) NPN SILICON DUAL IN-LINE AND FLATPACK SWITCHING TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 14 14 14

封装 DIP-14 TO-116 DIP-14

极性 - NPN -

耗散功率 - 1.5 W -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 - 0.8A -

最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V

额定功率(Max) 1.5 W 1.5 W 1.5 W

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 1500 mW 1500 mW 1500 mW

封装 DIP-14 TO-116 DIP-14

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Bulk Bulk

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Contains Lead