极性 NPN
耗散功率 1.5 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 0.8A
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V
额定功率Max 1.5 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1500 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 14
封装 TO-116
封装 TO-116
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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JANTXV2N6989 | Microsemi 美高森美 | TO-116 NPN 50V 0.8A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: JANTXV2N6989 品牌: Microsemi 美高森美 封装: 14-DIP NPN 1500mW | 当前型号 | TO-116 NPN 50V 0.8A | 当前型号 | |
型号: JANTX2N6989 品牌: 美高森美 封装: 14-DIP | 完全替代 | Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 14Pin TO-116 | JANTXV2N6989和JANTX2N6989的区别 | |
型号: 2N6989 品牌: 美高森美 封装: 14-DIP | 完全替代 | 多个( QUAD ) NPN硅双列直插式和FLATPACK开关晶体管 MULTIPLE QUAD NPN SILICON DUAL IN-LINE AND FLATPACK SWITCHING TRANSISTOR | JANTXV2N6989和2N6989的区别 | |
型号: JAN2N6989 品牌: 美高森美 封装: 14-DIP | 完全替代 | Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 14Pin TO-116 | JANTXV2N6989和JAN2N6989的区别 |