2N6989
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
2N6989中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 50 V
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V
额定功率Max 1.5 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1500 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 14
封装 DIP-14
外形尺寸
封装 DIP-14
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
2N6989引脚图与封装图
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在线购买2N6989
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2N6989 | Microsemi 美高森美 | 多个（ QUAD ） NPN硅双列直插式和FLATPACK开关晶体管 MULTIPLE QUAD NPN SILICON DUAL IN-LINE AND FLATPACK SWITCHING TRANSISTOR | 搜索库存 |
替代型号2N6989
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N6989 品牌： Microsemi 美高森美 封装： 14-DIP | 当前型号 | 多个（ QUAD ） NPN硅双列直插式和FLATPACK开关晶体管 MULTIPLE QUAD NPN SILICON DUAL IN-LINE AND FLATPACK SWITCHING TRANSISTOR | 当前型号 |
| 型号： JANTXV2N6989 品牌： 美高森美 封装： 14-DIP NPN 1500mW | 完全替代 | TO-116 NPN 50V 0.8A | 2N6989和JANTXV2N6989的区别 |
| 型号： JANTX2N6989 品牌： 美高森美 封装： 14-DIP | 完全替代 | Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 14Pin TO-116 | 2N6989和JANTX2N6989的区别 |
| 型号： JAN2N6989 品牌： 美高森美 封装： 14-DIP | 完全替代 | Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 14Pin TO-116 | 2N6989和JAN2N6989的区别 |