SPA11N80C3XKSA1、STF11NM80、IPA80R450P7XKSA1对比区别

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型号 SPA11N80C3XKSA1 STF11NM80 IPA80R450P7XKSA1

描述 INFINEON  SPA11N80C3XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 0.39 ohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS  STF11NM80  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 350 mohm, 10 V, 4 V晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 0.38 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 中高压MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 800 V 800 V -

额定电流 11.0 A 11.0 A -

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.39 Ω 0.35 Ω 450 mΩ

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 41 W 35 W 29 W

阈值电压 3 V 4 V 3 V

输入电容 1600 pF - -

漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 800 V

连续漏极电流(Ids) 11.0 A 11.0 A -

上升时间 15 ns 17 ns 6 ns

正向电压(Max) 1.2 V - -

输入电容(Ciss) 1600pF @100V(Vds) 1630pF @25V(Vds) 770pF @500V(Vds)

下降时间 7 ns 15 ns 10 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 41 W 35W (Tc) 29W (Tc)

通道数 - 1 1

漏源击穿电压 - 800 V 800 V

额定功率 - 35 W -

栅源击穿电压 - ±30.0 V -

额定功率(Max) - 35 W -

长度 10.65 mm 10.4 mm 10.65 mm

宽度 4.85 mm 4.6 mm 4.85 mm

高度 9.83 mm 9.3 mm 16.15 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

香港进出口证 - NLR -