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SPA11N80C3XKSA1

SPA11N80C3XKSA1

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INFINEON  SPA11N80C3XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 0.39 ohm, 10 V, 3 V

CoolMOS™C3 功率 MOSFET


欧时:
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPA11N80C3XKSA1, 11 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220FP封装


得捷:
MOSFET N-CH 800V 11A TO220-FP


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


Newark:
# INFINEON  SPA11N80C3XKSA1  Power MOSFET, N Channel, 11 A, 800 V, 0.39 ohm, 10 V, 3 V


Win Source:
11A, 800V, 0.45 Ohm, N-channel, Si, Power, Mosfet, TO-220AB


SPA11N80C3XKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 800 V

额定电流 11.0 A

针脚数 3

漏源极电阻 0.39 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 41 W

阈值电压 3 V

输入电容 1600 pF

漏源极电压Vds 800 V

连续漏极电流Ids 11.0 A

上升时间 15 ns

正向电压Max 1.2 V

输入电容Ciss 1600pF @100VVds

下降时间 7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 41 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.65 mm

宽度 4.85 mm

高度 9.83 mm

封装 TO-220-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Lighting, 照明, Alternative Energy, 电源管理, Computers & Computer Peripherals, Power Management, 替代能源, 消费电子产品, Consumer Electronics, 计算机和计算机周边

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

SPA11N80C3XKSA1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SPA11N80C3XKSA1 Infineon 英飞凌 INFINEON  SPA11N80C3XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 0.39 ohm, 10 V, 3 V 搜索库存
替代型号SPA11N80C3XKSA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： SPA11N80C3XKSA1

品牌： Infineon 英飞凌

封装： REEL N-Channel 800V 11A

当前型号

INFINEON  SPA11N80C3XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 0.39 ohm, 10 V, 3 V

当前型号

型号： STF11NM80

品牌： 意法半导体

封装： TO-220FP N-Channel 800V 11A 400mohms

功能相似

STMICROELECTRONICS  STF11NM80  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 350 mohm, 10 V, 4 V

SPA11N80C3XKSA1和STF11NM80的区别