2N6284、MJ11016G、2N6284G对比区别
描述 STMICROELECTRONICS 2N6284 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 160 W, 20 A, 750 hFEON SEMICONDUCTOR MJ11016G 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 120 V, 200 W, 30 A, 1000 hFEON SEMICONDUCTOR 2N6284G 单晶体管 双极, NPN, 100 V, 160 W, 20 A, 100 hFE 新
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 2 3
封装 TO-3 TO-204-2 TO-204-2
额定电压(DC) 100 V 120 V 100 V
额定电流 20.0 A 30.0 A 20.0 A
针脚数 3 2 3
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 160 W 200 W 160 W
击穿电压(集电极-发射极) 100 V 120 V 100 V
最小电流放大倍数(hFE) 750 @10A, 3V 1000 @20A, 5V 750 @10A, 3V
额定功率(Max) 160 W 200 W 160 W
直流电流增益(hFE) 750 1000 100
工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 160000 mW 200000 mW 160000 mW
输出电压 - 120 V 100 V
输出电流 - 30 A 20 A
集电极最大允许电流 - 30A 20A
增益带宽 - 4MHz (Min) -
输入电压 - 5 V 5 V
最大电流放大倍数(hFE) - - 18000
封装 TO-3 TO-204-2 TO-204-2
长度 - 39.37 mm 39.37 mm
宽度 - 26.67 mm 26.67 mm
高度 - 8.51 mm 8.51 mm
工作温度 200℃ (TJ) -55℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active
包装方式 Bag Tray Tray
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99