2N6284中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 100 V
额定电流 20.0 A
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 160 W
击穿电压集电极-发射极 100 V
最小电流放大倍数hFE 750 @10A, 3V
额定功率Max 160 W
直流电流增益hFE 750
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 160000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3
外形尺寸
封装 TO-3
物理参数
工作温度 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Bag
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
2N6284引脚图与封装图
暂无图片
在线购买2N6284
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2N6284 | ST Microelectronics 意法半导体 | STMICROELECTRONICS 2N6284 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 160 W, 20 A, 750 hFE | 搜索库存 |
替代型号2N6284
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N6284 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： TO-3 NPN 100V 20A 160000mW | 当前型号 | STMICROELECTRONICS 2N6284 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 160 W, 20 A, 750 hFE | 当前型号 |
| 型号： MJ11016G 品牌： 安森美 封装： TO-3 NPN 120V 30A 200000mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MJ11016G 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 120 V, 200 W, 30 A, 1000 hFE | 2N6284和MJ11016G的区别 |
| 型号： 2N6284G 品牌： 安森美 封装： TO-3 NPN 100V 20A 160000mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR 2N6284G 单晶体管 双极, NPN, 100 V, 160 W, 20 A, 100 hFE 新 | 2N6284和2N6284G的区别 |
| 型号： 2N6341G 品牌： 安森美 封装： TO-3 NPN 150V 25A 200000mW | 功能相似 | 高功率NPN硅晶体管 High-Power NPN Silicon Transistors | 2N6284和2N6341G的区别 |