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2N6426、BC557BTA、2N6426G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N6426 BC557BTA 2N6426G

描述 达林顿晶体管NPN硅 Darlington Transistors NPN SiliconON Semiconductor BC557BTA , PNP 晶体管, 100 mA, Vce=45 V, HFE:110, 150 MHz, 3引脚 TO-92封装达林顿晶体管NPN硅 Darlington Transistors NPN Silicon

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

额定电压(DC) 40.0 V - 40.0 V

额定电流 500 mA - 500 mA

极性 - - NPN

耗散功率 625 mW 0.5 W 1.5 W

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 45 V 40 V

集电极最大允许电流 - - 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) 30000 @100mA, 5V 200 @2mA, 5V 30000 @100mA, 5V

额定功率(Max) 625 mW 500 mW 625 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 625 mW 500 mW 1500 mW

频率 - 150 MHz -

针脚数 - 3 -

直流电流增益(hFE) - 200 -

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

长度 - 4.58 mm -

宽度 - 3.86 mm -

高度 - 4.58 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Box - Bulk

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - EAR99