2N6426中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 40.0 V
额定电流 500 mA
耗散功率 625 mW
击穿电压集电极-发射极 40 V
最小电流放大倍数hFE 30000 @100mA, 5V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
外形尺寸
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Box
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
2N6426引脚图与封装图
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在线购买2N6426
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2N6426 | ON Semiconductor 安森美 | 达林顿晶体管NPN硅 Darlington Transistors NPN Silicon | 搜索库存 |
替代型号2N6426
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N6426 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92 40V 500mA 625mW | 当前型号 | 达林顿晶体管NPN硅 Darlington Transistors NPN Silicon | 当前型号 |
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| 型号： 2N6426G 品牌： 安森美 封装： TO-92 NPN 40V 500mA 625mW | 类似代替 | 达林顿晶体管NPN硅 Darlington Transistors NPN Silicon | 2N6426和2N6426G的区别 |
| 型号： BC557ATA 品牌： 安森美 封装： TO-92 | 类似代替 | ON Semiconductor BC557ATA , PNP 晶体管, 100 mA, Vce=45 V, HFE:110, 10 MHz, 3引脚 TO-92封装 | 2N6426和BC557ATA的区别 |