BC557BTA
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ON Semiconductor
安森美
分立器件
BC557BTA中文资料参数规格
技术参数
频率 150 MHz
针脚数 3
耗散功率 0.5 W
击穿电压集电极-发射极 45 V
最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V
额定功率Max 500 mW
直流电流增益hFE 200
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
外形尺寸
长度 4.58 mm
宽度 3.86 mm
高度 4.58 mm
封装 TO-226-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
制造应用 电源管理, 工业
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BC557BTA引脚图与封装图 
BC557BTA引脚图
BC557BTA封装焊盘图
在线购买BC557BTA
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BC557BTA | ON Semiconductor 安森美 | ON Semiconductor BC557BTA , PNP 晶体管, 100 mA, Vce=45 V, HFE:110, 150 MHz, 3引脚 TO-92封装 | 搜索库存 |
替代型号BC557BTA
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BC557BTA 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92 | 当前型号 | ON Semiconductor BC557BTA , PNP 晶体管, 100 mA, Vce=45 V, HFE:110, 150 MHz, 3引脚 TO-92封装 | 当前型号 |
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| 型号： 2N6426G 品牌： 安森美 封装： TO-92 NPN 40V 500mA 625mW | 类似代替 | 达林顿晶体管NPN硅 Darlington Transistors NPN Silicon | BC557BTA和2N6426G的区别 |
| 型号： 2N6426 品牌： 安森美 封装： TO-92 40V 500mA 625mW | 类似代替 | 达林顿晶体管NPN硅 Darlington Transistors NPN Silicon | BC557BTA和2N6426的区别 |