IXFH58N20、SPW16N50C3FKSA1、MTW32N20EG对比区别

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型号 IXFH58N20 SPW16N50C3FKSA1 MTW32N20EG

描述 IXYS SEMICONDUCTOR  IXFH58N20  晶体管, MOSFET, N沟道, 58 A, 200 V, 40 mohm, 10 V, 4 VInfineon CoolMOS C3 系列 N沟道 MOSFET SPW16N50C3FKSA1, 16 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-247封装功率MOSFET 32安培， 200伏特N沟道TO- 247 Power MOSFET 32 Amps, 200 Volts N-Channel TO-247

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

额定电压(DC) 200 V 560 V 200 V

额定电流 58.0 A 16.0 A 32.0 A

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.04 Ω 0.25 Ω 0.075 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 300 W 160 W 180 W

阈值电压 4 V 3 V 4 V

漏源极电压(Vds) 200 V 560 V 200 V

连续漏极电流(Ids) 58.0 A 16.0 A 32.0 A

上升时间 15 ns 8 ns 120 ns

输入电容(Ciss) 4400pF @25V(Vds) 1600pF @25V(Vds) 5000pF @25V(Vds)

下降时间 16 ns 8 ns 91 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300W (Tc) 160 W 180W (Tc)

通道数 - - 1

漏源击穿电压 - - 200 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

额定功率(Max) 300 W - 180 W

额定功率 300 W - -

长度 - 16.13 mm -

宽度 - 5.21 mm 5.3 mm

高度 - 21.1 mm -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon - -

ECCN代码 EAR99 - EAR99