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TS271BIDT、TS912BIDT、TS271BID对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TS271BIDT TS912BIDT TS271BID

描述 CMOS可编程低功耗单路运算放大器 CMOS Programmable Low Power Single Operational AmplifierSTMICROELECTRONICS  TS912BIDT  运算放大器, 双路, 1.4 MHz, 2个放大器, 1.3 V/µs, 2.7V 至 16V, SOIC, 8 引脚CMOS可编程低功耗单路运算放大器 CMOS Programmable Low Power Single Operational Amplifier

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 放大器、缓冲器运算放大器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

供电电流 10 µA 400 µA 10 µA

电路数 1 2 1

转换速率 40.0 mV/μs 1.30 V/μs 40.0 mV/μs

增益频宽积 100 kHz 1.4 MHz 100 kHz

输入补偿电压 250 µV 2 mV 250 µV

输入偏置电流 1 pA 1 pA 1 pA

输出电流 - 75 mA -

通道数 1 2 -

针脚数 - 8 -

共模抑制比 60 dB 60 dB -

带宽 - 1.4 MHz -

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ -

工作温度(Min) 40 ℃ -40 ℃ -

增益带宽 - 1 MHz -

共模抑制比(Min) - 60 dB -

电源电压 - 2.7V ~ 16V -

电源电压(Max) 16 V 16 V -

电源电压(Min) 3 V 2.7 V -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 5 mm 5 mm -

宽度 4 mm 4 mm -

高度 1.65 mm 1.65 mm -

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -